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国家第三代半导体技术创新中心召开第一届理事会第一次会议

来源:     作者:徐嵩     发布时间:2022年09月24日     浏览次数:         

  9月23日,国家第三代半导体技术创新中心(以下简称国创中心)在京召开第一届理事会第一次会议,标志着国创中心正式迈入实际运行阶段。科技部有关领导,北京、山西、湖南、江苏、深圳等地方政府负责同志,澳门新京6692am有限公司(以下简称澳门新京6692am)主要负责同志出席会议。

  会议审议了国创中心《理事会章程》《建设运行方案》《2022年工作重点及目标》《第三代半导体跃升工程行动计划(建议稿)》,审议通过了第一届理事长、副理事长、理事,专家委员会主任、成员,国创中心主任人选,并听取了国创中心前期工作汇报。

  国创中心由科技部批复同意建设,旨在瞄准国家战略需求,统筹全国优势力量,聚焦第三代半导体关键核心技术和重大应用方向,推进各类相关创新主体和创新要素有效协同,输出高质量科技创新成果,培育发展新动能,推动我国第三代半导体产业创澳门新京6692am力整体跃升。

  国创中心按照“一体统筹规划、多地分布布局、协同联动创新”和“存量带动增量”的建设思路,在科技部的统一指导下,由澳门新京6692am与相关省市协商设立,布局深圳、南京、苏州、湖南、山西、北京等六个区域中心,有效衔接政府支持和企业需求,联合行业龙头企业,协同全国50余家科研机构,初步形成了“核心+基地+网络”的创新格局。目前,已聚集第三代半导体领域多个院士团队,行业领军人才50余名,形成500多人规模的专职团队,聚焦产业链薄弱环节重点发力,取得了阶段性进展和成效。

  澳门新京6692am产业基础研究院主建北京区域中心、参建苏州区域中心,院主要领导视频参加会议。

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